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倒計時15天！第七屆國際碳材料大會-碳化硅半導體論壇，11月1-2日，我們上海見！

时间：2023-10-16 【转载】来自：面包芯語

大會背景

半導體產業是支撐國民經濟發展和保障國家信息安全的戰略性、基礎性和先導性產業，是新一代信息技術產業發展的核心。碳化硅半導體作為近年來迅速發展起來的新型半導體材料，憑借其超越硅的優異性能，引起了全球科技領域的廣泛關注。其在新能源汽車、光伏、儲能、軌道交通等前沿科技領域的應用，不僅開啟了新的技術疆界，更是掀起了一場產業變革的浪潮。

然而，面對如此廣闊的市場前景，碳化硅半導體的市場化進程卻面臨著一大挑戰——良率問題。從晶體、襯底及外延的生長，到器件制備和封裝，良率不足已經成為制約碳化硅半導體市場化應用的關鍵瓶頸。

面對這一挑戰，Carbontech 2023碳化硅半導體論壇將匯集全球范圍內的頂尖專家、學者以及行業巨頭，聚焦碳化硅產業良率低下、設備國產化不足、協同能力差等痛點，共同探討并研究解決方案，通過實現參會各方實質性的互聯互通，加快推進碳化硅半導體的市場化應用進程！

活動組織

論壇規模：200人

論壇時間：2023年11月1日-11月3日

主辦單位：DT新材料

承辦單位：寧波德泰中研信息科技有限公司

支持單位：寬禁帶半導體技術創新聯盟、United Scientific Group

支持媒體：Carbontech、DT半導體、DT新材料、材視科技、碳化硅半導體材料、半導體器件、芯師爺、清新電源、大半導體、光伏見聞、半導體信息……

報告嘉賓

按姓氏首字母排序：

高遠泰科天潤半導體（北京）科技有限公司

應用測試中心總監

演講題目：碳化硅功率器件測試：從研發到量產、從晶圓到應用

高遠先生現任中國電工技術學會電力電子專業委員會委員及青年工程師工作組委員、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟產業導師、泰克科技電源功率器件領域外部專家。

主要從事功率半導體器件的特性測試、評估及應用的關鍵技術研究工作，致力于推進功率半導體器件教育在高等學校普及和推廣先進功率器件在工業界應用。發表學術論文8篇，授權專利4項，出版專著《碳化硅功率器件：特性、測試和應用技術》，收錄于機械工業出版社“電力電子新技術系列圖書”和“半導體與集成電路關鍵技術叢書”，并列入“十四五”國家重點出版物。

鞏小亮，中國電科第48研究所半導體裝備研究部主任

鞏博士，任中國電子科技集團公司第四十八研究所半導體裝備研究部主任，電科裝備高級技術專家，長期從事第三代半導體關鍵裝備攻關與產業化，重點致力于外延生長設備技術研究，主持國家重點研發計劃、湖南省十大技術攻關等重大項目10余項，發表論文10余篇，授權發明專利6項，牽頭制定行業標準2項，獲國資委重大工程突出貢獻個人、湖南省科技創新領軍人才、CASA第三代半導體卓越創新青年、中國電科科學技術獎一等獎、中國電科“十大青年拔尖人才”等榮譽。

雷光寅復旦大學研究員

復旦大學寧波研究院寬禁帶半導體材料與器件研究所副所長

清純半導體（寧波）有限公司首席科學家

演講題目：碳化硅功率器件現狀及小型化發展趨勢

雷光寅博士，在2010年至2018年于美國福特汽車公司任研發工程師，負責混動汽車電機控制器硬件開發；2018年至2020年于上海蔚來汽車有限公司任電動力工程技術專家，負責基于碳化硅功率半導體的新能源汽車電驅動系統前瞻項目。長期從事功率半導體模塊封裝及新能源汽車電驅動系統開發，研究領域集中在新型封裝材料開發；功率模塊封裝設計、工藝開發、可靠性及失效分析；混動及純電驅動系統開發等。

發表高水平學術期刊論文30余篇，其中高引數量17篇；作為第一或合作發明人，至今共取得超過40項美國及中國發明專利。研究成果曾獲得有著科技界“奧斯卡”獎之稱的美國科學技術創新獎（R&D 100，2007年度）和2021年中國國際高新技術成果交易會優秀產品獎等獎項。

李金喜，廈門云天半導體市場總監

演講題目：從先進封裝到先進微系統集成

2006年畢業于華中科技大學電子系，先后在華潤上華、昆山華天從事客戶技術支持以及市場營銷類工作。在半導體行業有著十余年的工作經驗，對晶圓制造、封測以及模組產業有較為清晰的認知。從半導體產業鏈上下游角度來看，隨著摩爾定律趨緩，先進封裝扮演了越來越重要的角色，未來發展潛力巨大�；诖耍�2018年跟隨于大全博士創立廈門云天半導體，目前主要負責云天的市場工作。

馬彪上海瀾芯半導體創始人兼總經理

演講題目：SiC MOSFET設計的現狀和挑戰

馬彪先生畢業于復旦大學，微電子碩士。擁有16年的功率半導體器件開發經驗，同時也是華虹宏力半導體02專項1700V-6500超高壓1GBT及FRD產品和工藝平開發項目"工藝開發技術負責人、積塔半導體臨港廠MOSFET產品通線負責人、聯合汽車電子功率芯片負責人。

上海瀾芯半導體在馬彪先生的帶領下，運作不滿1年，瀾芯半導體1200V 80/60/40/30毫歐已經全部可送樣，且80毫歐產品已經通過可靠性驗證。

梅云輝天津工業大學教授博導

電氣工程學院常務副院長

演講題目：實現碳化硅器件直接水冷散熱的大尺寸低溫低壓直連技術探索

梅云輝教授長期從事電力電子器件封裝與可靠性研究，近年主持國家“優青”，天津市“杰青”，國家基金項目、國防預研項目、“慧眼行動”項目、航空基金、華為、蔚來汽車、匯川技術等企業合作項目逾30項，參與國家基金重點項目、863項目等。擔任中國電源學會理事、元器件專委會副主任、專家咨詢委員會副主任、IEEE Senior Member、《電源學報》編委、天津市電源學會副理事長等。已發表學術論文140余篇，其中SCI論文收錄100篇，授權發明專利27件，曾獲IEEE CPMT Young Award（電子封裝學會優秀青年獎）、中國電源學會技術發明獎一等獎（第一完成人）、中國電工技術學會技術發明獎一等獎（第一完成人）、天津市技術發明獎一等獎（第二完成人）、教育部霍英東教育基金高等院校青年科技獎、電工技術—正泰科技獎、IEEE國際電力電子年會APEC Best Presentation Award、IEEE ICEPT Outstanding Paper Award、國家第三代半導體產業技術創新戰略聯盟(CASA)“特別貢獻獎”等。

宋慶文西安電子科技大學蕪湖研究院副院長

宋慶文，山東臨沂人，博士, 教授/博士生導師, 國家重點研發計劃青年項目首席，華山學者領軍教授,省級創新團隊負責人。主要從事寬禁帶半導體SiC器件和電路（功率芯片）物理模型、材料生長、關鍵工藝及可靠性的研究和人才培養，在SiC功率器件和電路結構設計和可靠性等方面取得了一些創新性成果，在國際上首次成功研發出皮秒級SiC基DAS器件；成功開發了SiC高壓器件輻照加固技術；發明了多種高可靠性新型的4H-SiC基功率MOSFETs；突破了高穩定SiC金半接觸工藝，實現了國際上首只600℃SiC基紫外探測器；實現600V~10kV/2A~200A SiC SBD、PiN、MOSFET、IGBT等器件的研制和產品開發；近年來主持或參與包括國家重點研發計劃，國家自然科學、陜西省重點研發計劃等二十余項，近年來在IEEE EDL, IEEE Trans. ED、IEEE TPEL等期刊發表學術論文80余篇，獲國家授權專利50余項。

王德君大連理工大學教授博導

王德君，電子信息與電氣工程學部控制科學與工程學院教授，博士生導師。

吉林大學半導體專業本科、碩士，清華大學材料學博士，先后服務于北京大學、名古屋大學和奈良先端科學技術大學院大學。近年來指導研究生解決核心關鍵技術及理論問題多項，在國際頂級學術期刊發表學術論文數十篇，培養的研究生多次獲得博士生優秀論文單項獎學金和國家優秀學生獎學金，深受業界歡迎。

王德君教授在SiC器件領域深耕二十余年，帶領團隊率先解決了柵氧缺陷分析和缺陷物理參數分離難題，形成了SiC MOS器件柵氧可靠性分析測試技術成套解決方案，目前已自研多臺套科研型設備，為服務器件制造產業提供了強有力的支撐。

王蓉浙江大學杭州國際科創中心研究員

浙大杭州科創中心求是科創學者計劃、青年人才卓越計劃入選者

演講題目：碳化硅單晶生長與襯底加工技術進展

王蓉博士致力于半導體碳化硅材料的摻雜和缺陷物理研究，圍繞碳化硅單晶生長、襯底晶圓加工和同質外延過程中的缺陷物理開展了系列理論與實驗研究。針對寬禁帶半導體缺陷物理在PR Applied、APL等學術期刊上發表了60余篇SCI論文，并擔任多項國際知名期刊的審稿人。擁有21項授權的國家發明專利和2項美國專利，其中5項專利已完成轉讓，產值超過3千萬元。

王錚北京北方華創微電子裝備有限公司

襯底材料行業總經理

演講題目：堅定不移，以裝備創新推動碳化硅產業高質量發展

王錚先生從事半導體行業近20年，涉足集成電路、功率半導體、MEMS、LED以及襯底材料等多個先進領域。目前在北方華創負責半導體襯底材料行業，是國內最早一批研究寬禁帶半導體材料裝備及工藝方案的資深專家。

楊霏國家電網公司全球能源互聯網研究院功率半導體所

副總工程師兼工藝開發室主任

楊霏，博士，高級工程師（教授級），國家電網公司全球能源互聯網研究院功率半導體所副總工程師兼工藝開發室主任，中關村高端領軍人才。專注于碳化硅外延材料及高壓電力電子器件研究，組建了包括外延材料、器件設計、器件工藝與測試的碳化硅高壓器件研發團隊，承擔國家863項目1項，國家重點研發計劃項目2項，北京市科委項目2項，國家電網公司科技項目8項，研制了1200V、1700V及3300V系列碳化硅二極管及3300V/600A混合模塊，研制了1200V/20A碳化硅MOSFET并在30kW光伏逆變器中示范應用。目前正在研制35kV/5MW柔性變電站電力電子變壓器示范工程應用的6.5kV碳化硅二極管與MOSFET，以及用于24kV換流閥功率單元的18kV碳化硅IGBT。主導制定團體標準2項，主持建立了全工藝的10kV高壓碳化硅器件中試線，授權發明專利16項，譯著2部。

尹志鵬，河北普興電子科技股份有限公司產品總監

演講題目：碳化硅外延技術及發展趨勢

尹志鵬，大連理工大學微電子學與固體電子學博士，現任河北普興電子科技股份有限公司產品總監，從事碳化硅同質外延相關工作及產品開發。

河北普興電子科技股份有限公司是中電科半導體材料有限公司控股的股份制公司，成立于2000年11月，是國家認定的高新技術和集成電路生產企業，致力于高性能半導體材料的外延研發和生產。公司已通過ISO9001、TS16949質量管理體系認證，ISO14001、ISO45001環境和職業健康安全管理體系認證。主要產品為各種規格型號的硅基外延片、氮化鎵和碳化硅外延片�？蛻舯椴贾袊箨憽⒏叟_地區，以及美國、日本、韓國、俄羅斯、印度等國際市場，在國內外市場享有較高的聲譽。

張勝濤，哈爾濱科友半導體產業裝備與技術研究院技術總監

演講題目：科友8英寸碳化硅襯底產業化發展

哈爾濱工業大學博士、助理教授，化學工程與技術學科，新能源材料與器件方向，2021年獲黑龍江省科學技術進步一等獎，2022年入選哈爾濱市科技創新人才。2018年4月-至今，哈爾濱科友半導體產業裝備與技術研究院有限公司研發部總監，負責碳化硅晶體生長與缺陷控制研究。張勝濤博士長期致力于寬禁帶半導體碳化硅裝備開發、熱場仿真設計及單晶缺陷控制研究，推動大尺寸國產碳化硅材料產業化工作，主持或參與國家重點研發計劃、省重大科技成果轉化項目、省自然科學基金、省頭雁團隊項目、市重大科技專項等國家省市重點項目多項。在研發過程中取得了一系列原創成果，目前已發表半導體領域高水平論文8篇，其中SCI索引期刊6篇，授權專利10余項，參編國家標準1項，企業標準多項。

論壇費用

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